半导体激光器光腔内的驻波分布怎么计算啊？
那里有具体的算法？
多谢！☆

一般的关于激光原理的书都应该讲解得很清楚的吧。这好像是激光在腔内谐振的基础阿~~~找本书好了~

是啊，可是怎么模拟出谐振模式在有源区，限制层中的光场强度变化。

书上说“驻波腔”内的驻波分布（模）是由迈克斯韦方程组确定的，
可是对于原子发光来说，那么多的场源，怎么计算呀？
至少每个原子的发光时刻、持续时间都是难以确定的吧？
所以怕也只是理论上说说了，
实际只能是以光在腔内的方向、频率、偏振度
来近似描述驻波分布（模）统计特征了？

如果研究激光管内的光强度分布，
或许可以参考日光灯或霓虹灯的光强度分布规律？
反正都是电子激发嘛，总会有些相同的地方？
频率分布可能也可以参考从侧面测量的数值，
反正在纵、横向上，电子绕核圆频率是相同的（轨迹可能是扁椭圆），
发光强度也应该是成正比关系的吧？

可能是我没说清楚。
我主要是针对垂直腔面发射激光器（VCSELs)，因为VCSELs的高反射率镜面采用DBR，量子阱有源区也是多层的，因此纵向的层状结构决定光场在每层中的强度，传播常数都不同。我想模拟出光场也就是驻波在整个结构中的分布情况。并不追求绝对的强度，主要是先看看变化的趋势。
我自己的想法是通过计算每层边界处的反射率来获得透射光强度，而传播常数主要决定于每层的折射率。不过具体细节还是不知道怎么算。
多谢了