请教：关于飞秒激光处理

一个朋友的问题：fetosecond pulse Laser的大概聚焦最小可以达到多少，目前希望它能够达到10-30nm, 一般单模激光(single mode)激光的一个pulse的振幅随时间变化，理论上可以用阻尼型或高斯型来说明，想知道飞秒激光器的高斯型的半峰宽a大概是多少？exp(-t*t/(2*a*a))。还有这样的激光如果作用在半导体材料上100-1000个psec时间，会引起半导体发热而改变半导体材料的能级吗？如果发热大概温度会升高到多少？
谢谢！☆