光电论坛's Archiver

victorrose 发表于 2008-5-14 20:20

镀AR時,製程溫度約80度C可行嗎?

因特殊需求,需要在B270玻璃上镀AR時的製程溫度只能約80度C,這有可能嗎? 製程條件有何特殊要求?

[[i] 本帖最后由 victorrose 于 2008-5-14 20:25 编辑 [/i]]

gonneto 发表于 2008-5-14 23:06

学习楼住的这种精神~~~~TMD~~~太牛~~~~

问候一声,写文章累了


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zzzz 发表于 2008-5-15 13:16

当然有了
[em31] [em31] [em31] [em31] [em31]

victorrose 发表于 2008-5-15 19:29

回复 #3 zzzz 的帖子

您的意思是可行的? 请问制程条件有何特殊要求?谢谢您。

zzzz 发表于 2008-5-16 07:45

一般条件不加热不IAD就能做到.
你的条件如何??????????????

optofilm2002 发表于 2008-5-16 08:35

那就溅射吧:call: [em09]

victorrose 发表于 2008-5-17 10:29

制程温度约80度C,使用IAD,结果用胶带一黏就掉。如果不用溅射,要如何达到?

huhu 发表于 2008-5-17 14:44

如果制程正常仍然发生脱膜,建议可以先观察一下膜层脱落的位置,从应力及边界结合力方面考虑一下。

无语了 发表于 2008-5-18 08:27

如果制程正常仍然发生脱膜,建议可以先观察一下膜层脱落的位置,从应力及边界结合力方面考虑一下。

好象有点道理,先测下是哪层脱落的[em31]

victorrose 发表于 2008-5-18 15:42

用3M测试胶带一黏,所有的镀膜都掉落了。可能是哪里出了问题?

huang12949 发表于 2008-5-18 23:20

不太可能吧,就算在塑料上镀AR,也不是胶带可以粘下来的,最起友得反复N次才有可能撕下来的。
镀在玻璃上都能撕下来,估计你材料用得不对,可能最后一层用的MGF2类材料吧。

zzzz 发表于 2008-5-19 08:34

你得先说明你的工艺条件,
否则大家只能瞎分析

victorrose 发表于 2008-5-20 19:21

tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2

zzzz 发表于 2008-5-21 10:27

为啥不用TA?
基板是什么材料的?
层数太多?不能减少吗?

victorrose 发表于 2008-5-27 10:44

TA 适合用来做AR?
基材为玻璃
层数不能减
谢谢您

liyazhou 发表于 2008-5-27 10:44

蒸镀什么材料有些材料可以冷镀呀...............................

zzzz 发表于 2008-5-27 13:06

我的TA是指TA2O5了.
啥特殊要求啊?胶合件吧?
否则TI和玻璃的结合挺好的
先找找玻璃清洁方面的原因.

optin 发表于 2008-5-27 13:51

离子源可能没有用好,能否将你们离子源的使用过程描述描述

APS1104 发表于 2008-6-1 16:42

tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2 并使用IAD,我觉得不可能用3M测试胶带一黏就掉膜.镀膜工艺存在问题,你基片清洗得干净吗?
你离子源参数都设置了哪些?

jhxxmlhk 发表于 2008-6-1 17:08

我晕死,你那种工艺没问题,3M测试不会脱膜的。看镀前清洁度怎么样?不会是DP返油了吧?
鄙视MgF2的人是错误的,慢慢你们就会知道了。;P ;P ;P

warstorm 发表于 2008-6-11 09:24

所有膜都掉了??是不是和基底的结合度不高啊,
能不能预镀一层sio2

liwenjuanlwj 发表于 2008-6-11 10:04

脱膜应该不会吧,我想是TI的折射率做不高

snebur 发表于 2008-6-11 22:34

提高附着力

需要不需要加个过渡层?

guangang 发表于 2008-6-13 10:17

用的啥离子源?如果用RF源的话,膜层也不至于这么差吧?

nation 发表于 2008-7-4 11:47

都不加热都可以镀的,没有不可能的,只有想不到的。

涛哥 发表于 2008-7-5 09:32

用ZR+SI试一试,70度不加IAD,镀的膜用水煮都不掉膜.也有可能是基片的问题.

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